Phase-change memory (PCM)

A Phase-change memory (PCM) é um tipo de memória não volátil de acesso aleatório (NVRAM) que armazena dados usando diferentes fases de um material, tipicamente um calcogenide, para representar os 0 e 1 bits. A PCM é mais rápida que a memória flash e não se gasta tão rapidamente quanto a memória flash, o que a torna uma tecnologia promissora para uso em aplicações de computação e armazenamento de dados de alto desempenho. O que há em computação de memória? Em computação, memória refere-se ao local de armazenamento eletrônico de dados e instruções. A memória de um computador pode ser dividida em dois tipos principais:

- Memória de acesso aleatório (RAM): Este é o local onde o computador armazena dados e instruções que está a utilizar actualmente.
- Memória só de leitura (ROM): Este é o lugar onde o computador armazena dados e instruções que precisa para iniciar e executar as funções básicas do sistema operacional.

Quando você fala de computação na memória, você está se referindo a um tipo de computação onde os dados são armazenados na RAM em vez de em um disco. A computação in-memory pode ser usada para melhorar o desempenho de aplicativos porque os dados podem ser acessados muito mais rapidamente na RAM do que em um disco. O que é SRAM e NVRAM? SRAM e NVRAM são dois tipos comuns de memória de computador. A SRAM, ou RAM estática, é mais rápida e mais cara do que a DRAM, ou RAM dinâmica. NVRAM, ou RAM Não-Volátil, é um tipo de memória que retém os seus dados mesmo quando a energia é desligada.

Qual é a diferença entre PCM e ECM?

A principal diferença entre PCM e ECM é que PCM é uma técnica de codificação e decodificação digital enquanto ECM é uma técnica de modulação.

O PCM é uma técnica de codificação e descodificação digital que é utilizada para converter um sinal analógico num sinal digital. O sinal PCM é então enviado para um conversor digital para analógico (DAC) que converte o sinal digital num sinal analógico.
O ECM é uma técnica de modulação que é usada para codificar um sinal digital em um sinal portador analógico. O sinal ECM é então enviado para um conversor de modulação para analógico (MAC) que converte o sinal digital em um sinal analógico.

O que é tecnologia memristor?

Tecnologia de memristor é um tipo de memória não volátil que usa um memristor, um dispositivo eletrônico de dois terminais, para armazenar dados. O memristor foi teorizado pela primeira vez em 1971 por Leon Chua, e o primeiro memristor experimental foi criado em 2008.

Os memristores são semelhantes aos transístores, mas têm duas diferenças importantes. Primeiro, os memristores são não voláteis, o que significa que podem reter seus dados mesmo quando a energia é desligada. Segundo, os memristores são bidirecionais, o que significa que podem conduzir a corrente em qualquer direção.

O mecanismo de armazenamento de dados em um memristor é baseado no movimento de íons em um eletrólito, o que muda a resistência do memristor. A alteração da resistência é persistente, o que significa que ela permanecerá mesmo depois que a energia for desligada.

Para ler os dados de um memristor, uma corrente é passada através dele em uma direção. A resistência do memristor mudará dependendo da quantidade de dados armazenados nele. Para escrever dados de um memristor, uma corrente é passada através dele na direção oposta.

A tecnologia de memristor ainda está em seu estágio inicial, mas tem o potencial de revolucionar a forma como os dados são armazenados. Os memristores são mais densos, rápidos e energeticamente mais eficientes do que as tecnologias tradicionais de armazenamento, como a memória flash. Eles poderiam eventualmente ser usados para criar uma eletrônica ultrafina, flexível e até mesmo transparente. Para que meio de armazenamento são usadas ligas de troca de fase? As ligas de troca de fase são usadas para suportes de armazenamento regraváveis, como DVD-RW, DVD+RW, e CD-RW. As ligas também são usadas para alguns tipos de PROM (memória apenas de leitura programável) e EEPROM (memória apenas de leitura programável apagável eletricamente).