Definição - O que significa memória de acesso aleatório resistiva (ReRAM)?
A memória de acesso aleatório resistiva (RRAM / ReRAM) é um novo tipo de memória projetada para ser não volátil. Ele está sendo desenvolvido por várias empresas e algumas já patentearam suas próprias versões da tecnologia. A memória opera alterando a resistência de um material dielétrico especial denominado memresistor (resistor de memória), cuja resistência varia dependendo da voltagem aplicada.
Definirtec explica a memória de acesso aleatório resistiva (ReRAM)
RRAM é o resultado de um novo tipo de material dielétrico que não é permanentemente danificado e falha quando ocorre a quebra do dielétrico; para um memresistor, a ruptura dielétrica é temporária e reversível. Quando a voltagem é deliberadamente aplicada a um memresistor, caminhos condutores microscópicos chamados filamentos são criados no material. Os filamentos são causados por fenômenos como migração de metal ou mesmo defeitos físicos. Os filamentos podem ser quebrados e revertidos pela aplicação de diferentes tensões externas. É essa criação e destruição de filamentos em grandes quantidades que permite o armazenamento de dados digitais. Os materiais com características de memresistor incluem óxidos de titânio e níquel, alguns eletrólitos, materiais semicondutores e até mesmo alguns compostos orgânicos que foram testados para ter essas características.
A principal vantagem do RRAM sobre outras tecnologias não voláteis é a alta velocidade de comutação. Por causa da espessura dos memresistores, ele tem um grande potencial para alta densidade de armazenamento, maiores velocidades de leitura e gravação, menor consumo de energia e custo mais barato do que a memória flash. A memória flash não pode continuar a aumentar devido aos limites dos materiais, portanto, RRAM logo substituirá a memória flash.